隧道爐作為半導體制造鏈中的關鍵熱處理設備，其恒溫控制精度可達±0.5℃，滿足晶圓加工對溫度均勻性的嚴苛要求。半導體級隧道爐采用氮氣保護系統，氧含量控制在5ppm以下，有效防止硅片氧化。模塊化設計實現快速換線，適配8英寸至12英寸晶圓生產，熱區長度通常為3-6米，升溫速率達10℃/s。特殊石英材質加熱管確保1600℃高溫下的化學穩定性，搭配多點紅外測溫系統實現實時閉環控制。節能型結構設計較傳統設備能耗降低35%，廢氣處理系統符合SEMI F47標準。通過MES系統集成，可實現工藝參數追溯與SPC分析，缺陷率控制在0.1%以內，為3D NAND堆疊工藝提供可靠的熱處理解決方案。